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2023-06-01 08:47
RE: 碳化硅SiC模块ASC800N1200DCS12(丹弗斯DCM/1200V800A)针对新能源汽车牵引应用开发的功率模块
SiC MOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单……
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2023-05-29 17:14
RE: 1700VSiCMOS驱动门极电压12V大幅减少辅助开关电源成本
高温、高频,低寄生电感,低开关损耗……
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2023-05-29 17:13
RE: 碳化硅MOS模块EasyPACK/1200V300A获得充电桩模块和PCS青睐
高温、高频,低寄生电感,低开关损耗……
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2023-05-29 17:10
RE: 碳化硅SiC模块ASC800N1200DCS12(丹弗斯DCM/1200V800A)针对新能源汽车牵引应用开发的功率模块
高温、高湿、超低损耗……
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2023-05-04 15:04
RE: SiCMOSFET栅极驱动以及栅极驱动器
SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。……
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2023-05-04 15:03
RE: 碳化硅MOS模块EasyPACK/1200V300A获得充电桩模块和PCS青睐
SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。……
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2023-05-04 15:02
RE: 碳化硅(SiC)MOSFET性能的优势,国产碳化硅MOS选型介绍
SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。……
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2023-04-28 14:26
RE: 1700VSiCMOS内阻750毫欧首推TO263-7封装,适合组串式逆变器的辅助电源
1700V适合组串式逆变器的辅助电源……
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2023-04-28 14:26
RE: 1700VSiC MOSFET国产首款针对高压电源应用而开发,具有较高的耐压,极低的栅极电荷,较小的导通电阻Rds(on)
1700V适合组串式逆变器的辅助电源……
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2023-04-28 14:25
RE: 1700VSiC MOSFET国产首款针对高压电源应用而开发,具有较高的耐压,极低的栅极电荷,较小的导通电阻Rds(on)
1700V适合组串式逆变器的辅助电源……
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