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来自 论坛2023-05-29 17:10

RE: 碳化硅SiC模块ASC800N1200DCS12（丹弗斯DCM/1200V800A）针对新能源汽车牵引应用开发的功率模块

高温、高湿、超低损耗……
来自 论坛2023-05-04 15:04

RE: SiCMOSFET栅极驱动以及栅极驱动器

SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。……
来自 论坛2023-05-04 15:03

RE: 碳化硅MOS模块EasyPACK/1200V300A获得充电桩模块和PCS青睐

SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。……
来自 论坛2023-05-04 15:02

RE: 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势，国产碳化硅MOS选型介绍

SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。……
来自 论坛2023-04-28 14:26

RE: 1700VSiCMOS内阻750毫欧首推TO263-7封装，适合组串式逆变器的辅助电源

1700V适合组串式逆变器的辅助电源……
来自 论坛2023-04-28 14:26

RE: ​1700VSiC MOSFET国产首款针对高压电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（on)​

1700V适合组串式逆变器的辅助电源……
来自 论坛2023-04-28 14:25

RE: ​1700VSiC MOSFET国产首款针对高压电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（on)​

1700V适合组串式逆变器的辅助电源……
来自 论坛2023-04-28 10:45

RE: 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势，国产碳化硅MOS选型介绍

适用高温、高频应用，超低损耗……
来自 论坛2023-04-28 10:44

RE: 碳化硅MOS模块EasyPACK/1200V300A获得充电桩模块和PCS青睐

功率密度高，适用高温、高频应用，超低损耗……
来自 论坛2023-04-21 09:05

RE: 碳化硅SIC MOS模块、国产模组特性

SiCMOSFET 具有理想的固有低寄生电容（CGD、CDS、CGS）。……
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