SiC MOSFET 驱动特性及器件国产化后的影响分析摘要院碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC MOSFET（silicon carbide metal……
以碳化硅(SiC) 器件为代表的宽禁带半导体器件，对比以绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 为代表的硅基半导 体功率器件，有开关损耗低、开关速度快、器件耐……
摘要：随着双向储能变流器（PCS)朝着高电压、高效率的趋势发展，SiC 器件在 双向PCS中开始应用。SiC的PCS主电路拓扑采用可以有效降低并网电流谐波的T型……
碳化硅MOS、模块、驱动板，系统方案及应用技术 https://forum.eepw.com.cn/thread/386785/1……
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碳化硅MOS驱动原理图以及栅极驱动器-电子产品世界论坛 https://forum.eepw.com.cn/thread/362629/1……
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