SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比,由于 SiC 功率系统具有这些优势,因此能够在要求高功率密度的应用(如太阳能逆……
国产首款1700V SiC MOS电路设计,降低散热成本,大幅度减少辅助开关电源成本。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择,高频……
全桥LLC 分立电感变压器计算:全桥LLC 分立电感变压器计算2024--.pdf1 设定输入条件: ,全桥LLCK 5 := 5 10比较恰当) - (Eff 0.967 := ……
碳化硅MOS基于车载OBC与充电桩新技术电动汽车车载充电机(OBC)、双向充电机(Bi-OBC)与充电桩技术(电动汽车车载充电机(OBC)、双向充电机(Bi-OBC)与充电桩技术2……
3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压,有更低的电阻率,工作温度更高。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择。牵引功率单元(……