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来自 论坛2023-03-17 12:02

RE: 国产碳化硅MOS，SiC碳化硅MOS驱动的PCB布局方法

SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单……
来自 论坛2023-03-17 11:58

RE: 碳化硅MOS模块EasyPACK/1200V300A获得充电桩模块和PCS青睐

适用高温、高频应用……
来自 论坛2023-03-17 11:57

RE: 3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高(国产SiCMOSFET)。

3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压……
来自 论坛2023-03-13 09:25

RE: ​1700VSiC MOSFET国产首款针对高压电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（on)​

PFC技术大量采用  碳化硅MOS……
来自 论坛2023-03-13 09:23

RE: SiCMOSFET栅极驱动以及栅极驱动器

PFC技术大量采用  碳化硅MOS……
来自 论坛2023-03-08 09:18

RE: 碳化硅SIC MOS模块、国产模组特性

大功率模块严格按照汽车行业IATF16949的要求……
来自 论坛2023-03-07 12:03

RE: ​1700VSiC MOSFET国产首款针对高压电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（on)​

1700V SiC MOSFET国产首款针对高压电源应用而开发……
来自 论坛2023-03-02 09:17

RE: ​1700VSiC MOSFET国产首款针对高压电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（on)​

国产首款……
来自 论坛2023-02-28 10:49

RE: 1700VSiCMOS内阻750毫欧首推TO263-7封装，适合组串式逆变器的辅助电源

国产1700V碳化硅MOS管 5A--100A……
来自 论坛2023-02-28 10:49

RE: ​国产首款1700VSiC MOSFET针对高压电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds（on)​

国产1700V碳化硅MOS管 5A--100A……
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