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来自 论坛2024-06-18 15:09

RE: SiCMOSFET栅极驱动以及栅极驱动器

碳化硅MOS驱动原理图……
来自 论坛2024-06-18 14:32

RE: 碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。

国产的SIC MOS……
来自 论坛2024-06-18 14:31

碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。

碳化硅MOS国产实现电压650V-1200V-1700V-3300V-6500V，电流1A-150A 。碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻……
来自 论坛2023-06-14 16:09

RE: 1700VSiCMOS驱动门极电压12V大幅减少辅助开关电源成本

SiC MOS主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单……
来自 论坛2023-06-14 16:09

RE: 1700VSiCMOS内阻750毫欧首推TO263-7封装，适合组串式逆变器的辅助电源

SiC MOS主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单……
来自 论坛2023-06-01 09:10

RE: 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势，国产碳化硅MOS选型介绍

SiC MOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单……
来自 论坛2023-06-01 09:09

RE: SiCMOSFET栅极驱动以及栅极驱动器

SiCMOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单……
来自 论坛2023-06-01 08:47

RE: 碳化硅SiC模块ASC800N1200DCS12（丹弗斯DCM/1200V800A）针对新能源汽车牵引应用开发的功率模块

SiC MOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单……
来自 论坛2023-05-29 17:14

RE: 1700VSiCMOS驱动门极电压12V大幅减少辅助开关电源成本

高温、高频，低寄生电感，低开关损耗……
来自 论坛2023-05-29 17:13

RE: 碳化硅MOS模块EasyPACK/1200V300A获得充电桩模块和PCS青睐

高温、高频，低寄生电感，低开关损耗……
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