碳化硅MOS基于车载OBC与充电桩新技术电动汽车车载充电机（OBC)、双向充电机(Bi-OBC）与充电桩技术(电动汽车车载充电机（OBC)、双向充电机(Bi-OBC）与充电桩技术2……
3300V碳化硅MOS器件承受更高的击穿电压，有更低的电阻率，工作温度更高。更能胜任在特别需要更高耐压以及雪崩等级的工业领域的设计要求,对要求高频的应用更是不二选择。牵引功率单元（……
碳化硅MOS国产实现电压650V-1200V-1700V-3300V-6500V，电流1A-150A 。碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻……
SiC MOS主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单……
SiC MOS主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单……
SiC MOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单……
SiCMOS功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单……
