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来自 论坛2025-08-07 13:59

RE: SiCMOSFET国产化器件替代后导通时间、驱动损耗及负压幅值变化的相关分析

11种封装的国产碳化硅模块及新工艺顶部散热产品介绍应用-电子产品世界论坛https://forum.eepw.com.cn/thread/393861/1……
来自 论坛2025-08-07 13:59

RE: 11种封装的国产碳化硅模块及新工艺顶部散热产品介绍应用

SiCMOSFET国产化器件替代后导通时间、驱动损耗及负压幅值变化的相关分析-电子产品世界论坛https://forum.eepw.com.cn/thread/393591/1……
来自 论坛2025-08-07 13:58

RE: 11种封装的国产碳化硅模块及新工艺顶部散热产品介绍应用

SiCMOSFET国产化器件替代后导通时间、驱动损耗及负压幅值变化的相关分析-电子产品世界论坛https://forum.eepw.com.cn/thread/393591/1……
来自 论坛2025-08-07 13:57

11种封装的国产碳化硅模块及新工艺顶部散热产品介绍应用

碳化硅(SiC)功率模块是电力电子领域的革命性产品,因其材料特性在高温、高压、高频应用中表现卓越。以下是其核心组成部分及优势分析:一、SiC模块的核心组成部分SiC芯片开关器件:S……
来自 论坛2025-07-25 15:36

11种封装的国产碳化硅模块及新工艺顶部散热产品介绍应用

碳化硅(SiC)功率模块是电力电子领域的革命性产品,因其材料特性在高温、高压、高频应用中表现卓越。以下是其核心组成部分及优势分析:一、SiC模块的核心组成部分SiC芯片开关器件:S……
来自 论坛2025-07-25 11:11

11种封装的国产碳化硅模块及新工艺顶部散热产品介绍应用

碳化硅(SiC)功率模块是电力电子领域的革命性产品,因其材料特性在高温、高压、高频应用中表现卓越。以下是其核心组成部分及优势分析:一、SiC模块的核心组成部分SiC芯片开关器件:S……
来自 论坛2025-07-24 09:00

RE: 碳化硅模块ASC800N1200DCS12(丹弗斯DCM/1200V800A)针对新能源汽车牵引应用开发的功率模块

碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。-电子产品世界论坛https://forum.eepw.com.cn/thread/373731/1……
来自 论坛2025-07-24 08:59

RE: 碳化硅高速电机控制器设计及效能分析

碳化硅MOS管650V-1200V-1700V-3300V-6500V。-电子产品世界论坛https://forum.eepw.com.cn/thread/373731/1……
来自 论坛2025-07-08 18:05

SiCMOSFET国产化器件替代后导通时间、驱动损耗及负压幅值变化的相关分析

SiC MOSFET 驱动特性及器件国产化后的影响分析摘要院碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC MOSFET(silicon carbide metal……
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