TO-247-4L封装可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现……
TO-247-4L封装可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现……
SiC MOSFET 具有理想的固有低寄生电容（CGD、CDS、CGS）。这种特性支持高开关频率，因此有助于实现高功率密度设计……
MOSFET/TO-247-4封装可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现……
MOSFET（TO-247-4）可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现……
MOSFET（TO-247-4）可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现……
电路板寄生现象对 SiC 电路的负面影响SiC 电路中的寄生电感和电容首先，SiC MOSFET 具有理想的固有低寄生电容（CGD、CDS、CGS）。这种特性支持高开关频率，因此有……
SiC MOS 主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单……
