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来自 论坛2022-04-29 17:38

RE: SiC碳化硅MOS驱动的PCB布局方法

不客气……
来自 论坛2022-04-28 09:11

RE: 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势，选型介绍

将栅极驱动放置在紧邻 SiC MOSFET 的位置，以最小的走线长度将栅极回路电感降至最低。此外，这种做法还有助于使各并联 MOSFET 设计之间的共源极电感保持恒定。……
来自 论坛2022-04-28 09:10

RE: SiC碳化硅MOS驱动的PCB布局方法

将栅极驱动放置在紧邻 SiC MOSFET 的位置，以最小的走线长度将栅极回路电感降至最低。此外，这种做法还有助于使各并联 MOSFET 设计之间的共源极电感保持恒定。……
来自 论坛2022-04-24 15:48

RE: 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势，选型介绍

谢谢各位的鉴赏……
来自 论坛2022-04-24 15:46

RE: SiC碳化硅MOS驱动的PCB布局方法

谢谢给位光临……
来自 论坛2022-04-20 08:00

RE: 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势，选型介绍

要求驱动器具有双路输出端口。……
来自 论坛2022-04-20 07:59

RE: SiC碳化硅MOS驱动的PCB布局方法

要求驱动器具有双路输出端口。……
来自 论坛2022-04-18 14:15

RE: 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势，选型介绍

支持高开关频率（开关频率至少支持400KHz）……
来自 论坛2022-04-15 09:03

RE: 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势，选型介绍

开关频率至少支持400KHz……
来自 论坛2022-04-14 15:36

RE: 碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势，选型介绍

SiC MOS能够在要求高功率密度的应用中优化性能。……
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