SiC MOS能够在要求高功率密度的应用中优化性能。……
宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点……
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对SIC碳化硅MOS有兴趣的，可以联系有很多应用干货……
TO-247-4L封装可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现……
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SiC MOSFET 具有理想的固有低寄生电容（CGD、CDS、CGS）。这种特性支持高开关频率，因此有助于实现高功率密度设计……
MOSFET/TO-247-4封装可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现……
MOSFET（TO-247-4）可以进一步降低器件损耗，提升系统 EMI 表现……
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