什么是网孔分析法网孔分析法（网孔电流法、回路电流法）是一种电路分析的基本方法，该方法将导线互不交叉的平面电路中的每个网孔电流设为未知量，并根据基尔霍夫电压定律（KVL）建立联立方程……
本教程聚焦SiC JFET 在固态断路器中的应用，核心内容包括三大板块，阐释 SiC JFET 的关键特性、系统说明 SiC JFET 如何推动电路保护系统取得重大进步、通过评估和……
想要提升石英晶体振荡器的相位噪声性能，确实是一门融合了材料学、机械结构和电子电路的“硬核”学问。在高速通信和精密测控领域，哪怕微小的相位抖动都可能导致系统性能断崖式下跌。结合最新的……
磁性霍尔效应传感器因其在检测位置，速度和/或方向方面的多功能性而广受欢迎。 它们具有非接触式且无磨损的操作，维护成本低，本质上是一劳永逸的操作。 它们具有各种各样的形状，大小和价格……
功率半导体器件失效，指的是器件功能完全或部分丧失、参数发生显著漂移，或间歇性出现上述异常状态。无论失效是否可逆，一旦发生，该器件在实际应用中便不再具备使用条件，必须予以更换或废弃。……
在电子工程领域，晶振（晶体振荡器）是确保电子设备精准计时和稳定运行的关键组件。其中，恒温晶振（OCXO）和普通晶振因其稳定性和应用的不同而被广泛使用。本文将详细阐述这两种晶振的差异……
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本文介绍了阳极键合的原理、步骤和引入的风险。直接键合方式具备较高的对准精度与稳固的键合强度，能满足高端器件的封装需求，但该技术对晶圆表面的平整度、洁净度及化学成分均匀性要求极为严苛……
在半导体材料与器件的表征中，薄层电阻是一个至关重要的参数，直接关系到导电薄膜、掺杂层以及外延层的电学性能。为了精准测量这一参数，四探针电阻仪凭借其独特的测试原理，有效消除了接触电阻……
一、概述氮化镓（GaN）作为一种第三代宽禁带半导体材料，凭借其高电子迁移率和高击穿电场等优异特性，已在5G通信基站、数据中心电源及消费电子快充等领域实现规模化应用。在电动汽车领域，……
