我的印象中
加锑是为了降低热电偶效应带来的干扰，
加银是为了降低阻抗，提高通路的高频性能，
去查查,确认下……
现在充电管理和电池保护好像有很多国产方案，貌似还不错
文章里面的TI的方案性能确实高，可价格也很高啊……
这个总结的有点牵强了，
虽然结构上确实是电阻电容并联，
原理上没什么关联性……
串联电阻值跟工作电流有关，
原理就是采用电阻分压，
将原本7805上消耗的一部分功率由分压电阻承担……
大家都在盼着活动开始呢，
但是8月份已经确定会有瑞萨的活动了，
我猜是在9月份才开始……
请教怎么样买到瑞萨的芯片？好像小公司，个人比较支持不太好……
