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来自 分享下载2022-03-25 16:33

ASC60N1200MT4

SiC MOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。……
来自 分享下载2022-03-25 16:31

碳化硅(SiC)MOS

SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速……
来自 分享下载2022-03-09 11:56

SIC碳化硅MOS选型表

碳化硅N沟道功率MOSFET与硅MOSFET和硅IGBT解决方案相比,提高了性能,同时降低了高压应用的总成本。SiC MOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散……
来自 分享下载2022-03-08 16:07

SIC碳化硅MOS驱动ASC20N3300MT4

SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。……
来自 分享下载2022-03-08 16:06

SIC碳化硅MOS驱动ASC100N1700MT4

SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速……
来自 分享下载2022-03-08 16:05

SIC碳化硅MOS驱动ASC5N1700MT3

SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速……
来自 分享下载2022-03-08 16:03

SIC碳化硅MOS驱动ASC100N1200MT4

SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速……
来自 分享下载2022-03-08 16:02

SIC碳化硅MOSASC60N1200MT4

SiC MOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。 ……
来自 分享下载2022-03-08 16:01

SIC碳化硅MOS特性ASC30N1200MT4

SiC MOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。 ……
来自 分享下载2022-03-08 15:59

SIC碳化硅MOS特性ASC60N650MT4

SiC MOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。 ……
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