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来自 分享下载2022-03-25 17:24

ASC60N650MT4

SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速……
来自 分享下载2022-03-25 17:23

ASC30N650MT4

SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速……
来自 分享下载2022-03-25 16:55

ASC20N330MT4

碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术,可提供卓越的开关性能 与硅相比,性能和可靠性更高。 此外,低导通电阻和 紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。 因此,系统的好处包……
来自 分享下载2022-03-25 16:53

ASR50N1200MD88

碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术,可提供卓越的开关性能 与硅相比,性能和可靠性更高。 此外,低导通电阻和 紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。 因此,系统的好处包……
来自 分享下载2022-03-25 16:52

ASR320N650D88

碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术,可提供卓越的开关性能 与硅相比,性能和可靠性更高。 此外,低导通电阻和 紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。 因此,系统的好处包……
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ASC100N1700MT4

SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速……
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ASC5N1700MT3

SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速……
来自 分享下载2022-03-25 16:40

ASC100N1200MT4

碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术,可提供卓越的开关性能 与硅相比,性能和可靠性更高。 此外,低导通电阻和 紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。 因此,系统的好处包……
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SIC碳化硅MOS

碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术,可提供卓越的开关性能 与硅相比,性能和可靠性更高。 此外,低导通电阻和 紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。 因此,系统的好处包……
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ASC30N1200MT4

SiC MOSFET具有高效率,可实现更轻、更紧凑的系统,并具有更高散热能力和更低开关损耗。……
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