SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速……
SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速……
碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，可提供卓越的开关性能
与硅相比，性能和可靠性更高。 此外，低导通电阻和
紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。 因此，系统的好处包……
碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，可提供卓越的开关性能
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SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速……
SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速……
碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，可提供卓越的开关性能
与硅相比，性能和可靠性更高。 此外，低导通电阻和
紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。 因此，系统的好处包……
碳化硅 (SiC) MOSFET 采用全新技术，可提供卓越的开关性能
与硅相比，性能和可靠性更高。 此外，低导通电阻和
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SiC MOSFET具有高效率，可实现更轻、更紧凑的系统，并具有更高散热能力和更低开关损耗。……
