仪器操作中繁琐的编程[1]工作以及神秘的种种细节会分散工作繁重的研究者的精力。许多电特性测量工具[2]都极为复杂，而且它们的数据传输机制极为冗琐，需要大容量的存储介质。图形分析所花……
对纳米元器件的电测量——电压、电阻和电流——都带来了一些特有的困难，而且本身容易产生误差。研发涉及量子水平上的材料与元器件，这也给人……
研究者们在试图进行灵敏的测量之前，还必须理解一些纳米电测量中存在的挑战。
这些挑战包括：
•测量的基本原理[1]
•学习曲线
•灵敏度与分辨率……
具有广泛且多样化应用的纳米科学技术[1]，推动着研究者不断运用碳纳米管[2]、化学分子、量子点、甚至聚合物研发出新的材料和元器件。对这些纳米尺度的元器件与材料进行的特性测量远非轻而……
超快I-V源和测量技术随着越来越多传统直流I-V测量功能的消失而迅速发展。注意到，传统SMU设ji能够提供和测量最高约 1A的电流，最低约1皮安的电流。尽管增加远程前置放大器后最低……
最新一代的参数分析仪可以通过配置最大限度减少或消除很多与内部构建的BTI特征分析系统相关的缺陷。它们不是采用分离的脉冲或波形发生器与示波器，而是将这些功能组合在支持紧密时序协同的高……
· 波形发生。标准脉冲发生器和任意波形发生器的设计是在固定循环间隔上产生波形，而不是大多数可靠性测试（包括NBTI和PBTI测试）所需的Log（time）数。
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要想成为主流测试技术，下一代超快I-V测试系统必须具有很宽的源与测量动态量程。这意味着它们必须能够提供对闪存器件进行特征分析所需的充足电压，以及处理最新的CMOS工艺所需的足够低的……
与直流电流-电压（I-V）和电容-电压（C-V）测量一样，超快I-V测量能力对于特征分析实验室中所有负责开发新材料、器件或工艺的所有技术人员正变得越来越必要。进行超快I-V测量需要……
线缆长度补偿是一种经常被忽视的校正技术。它是针对仪器厂商提供的某些特殊线缆进行相位偏移校正的。交流信号沿着线缆传输需要一定的时间，其在测量结果上产生的相位偏移正比于线缆长度和传输延……
