最高可工作于64MHz，采用高速的嵌入式闪存（SRAM最大6KB，程序/数据闪存最大32KB）。本产品集成I2C、SPI、UART多种标准接口。集成12bitA/D转换器、数模转换……
产品特性 ● 内核：ARM® Cortex®-M0+ ‒ 最高主频 96MHz ● 工作温度：-40℃ 至 85℃；工作电压：1.62V 至 5.5V ● 存储容量 ‒ 最大 64……
产品特性●内核：ARM® Cortex®-M0+‒ 最高主频 48MHz●工作温度：-40℃ 至 85℃；工作电压：1.62V 至 5.5V●存储容量‒ 最大 64K 字节 FLA……
该款芯片基于ARM Cortex-M0内核，最高工作频率高达96 MHz，程序容量128 KB，12 KB闪存可用于存放启动代码，24 KB SRAM，55个高速I/O，同时片内集……
主频8MHz/16MHz；工作电压2.4V至4.5V；提供8KB ROM，344B RAM，128B EEPROM；内置24位高精度Sigma-Delta ADC，支持2路差分输入……
描述 CMS8M35xx系列MCU是中微半导体推出的基于8051内核的经济型电机控制芯片。主频高达48MHz；工作电压2.1V至5.5V；提供16KB Flash Mem……
描述AP30N15D采用先进的沟槽技术，可提供出色的R-D（ON）、低栅极电荷和低至4.5V的栅极电压。该装置适用于电池保护或其他开关应用。 一般特征●V-DS=150V……
1T tiny 8051 内核，32KB Flash，8KB 可编程 Boot Loader，1.5KB SRAM，26 通道低功耗 Touch Key，1 个 26 通道 12 ……
PL56001 是一款 PWM 控制器，专为高性能同步降压 DC/DC 应用而设计，输入电压为 4.5 V 至 32 V（最大值为 36 V）。 PL5600……
