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今日你签到了吗?论坛动态

来自 论坛2026-08-04 23:40

RE: 共基考毕兹起震的不利因素

电容没有互动能力,只能组成分压链,所以,电容反馈只有三点式,电容三点式震荡器不论哪种,只要是共基 (栅)极,就必须借助外力才能破局,这外力,就是LC槽路的Q值,西勒电路是並联馈电,……
来自 论坛2026-07-31 22:23

共基考毕兹起震的不利因素

①电流增益恒小于1,②输出阻抗颇高,输入阻抗甚低,③待机状态虽是甲类偏置,但幅度条件不足,上图的连相位条件都不对。   ……
来自 论坛2026-07-29 12:50

RE: 可控硅是个什么器件?一个用小信号控制大电流的“电子开关”

BJT的 Ib与Ic,都是由 PN结 的两种载流子扮演的,但在等效电路中,两管集极不宜连通,更不允许短路,而在真实的可控硅中,集电结只有一个,两种载流子同场经历〖Ie→Ic→Ib〗……
来自 论坛2026-07-29 12:39

RE: 可控硅是个什么器件?一个用小信号控制大电流的“电子开关”

经典等效电路只能通过 Ib,这样的等效电路才能充份利用BJT的容量,发挥完全的载流能力,像真正的可控硅那样承载强大电流。……
来自 论坛2026-07-28 17:34

RE: 共基考毕兹起震的不利因素

震荡,除了幅度条件及相位条件,还有的是,静态工作点,这种电路起震成败的关键,在于电流,说甚么  幅度条件不足、相位条件不对,指的就是待机电流的无奈,至于静态工作点,则是跟……
来自 论坛2026-07-28 15:20

RE: 共基考毕兹起震的不利因素

共基拓扑的特别之处是,通过 Re 的电流,不一定是 Ie,当射极配置是无源阻抗时,唯一的作用就是作为 Ie 的设定者及接续通道,在待机状态时,Re 中的电流仍然是 Ie 的延伸,但……
来自 论坛2026-07-28 02:17

RE: 共基考毕兹起震的不利因素

放大器的电流增益,建基于 三极管的 α或β,α恒小于1,所以,共基拓扑的电流增益也小于1,下图电路的集极还多了个Rc,系统电流增益比α更小,负阻或正反馈,是震荡的动力,集极,是共基……
来自 论坛2026-07-24 02:40

RE: LEDvs普通二极管:都会单向导电,但一个会发光但凡接触电子电路,一定会遇见两款长得相似、核心特性几乎一致的元件:普通整流二极管、LED发光二极管。很多

如今,整流二极管的反向耐压高于5V的稀松平常,LED的反向耐压即使是照明用的也不会太高,但它俩的共同点是,绝不允许击穿,给它限流电阻都不行,不立马报废也会渐渐失效;除恒流二极管之外……
来自 论坛2026-07-24 02:17

RE: IGBT、普通三极管、MOS管到底有什么区别?

跟普通达林顿相比,互补达林顿小了一个Vce,而且,普通达林顿只能集成,互补达林顿却可元件化,亦就是缩合为单个PNPN架构,开关速度不是不能快 而是不敢快,以当前的科技水平,要保证在……
来自 论坛2026-07-24 01:53

RE: IGBT、普通三极管、MOS管到底有什么区别?

真正的电流控制,输入端的阻抗(实体与动态)应该像理想导线那样,全是零,所以,BJT跟真空管和场效应管一样,都是跨导器件而不是真正的电流控制器件,交流放大器的讯号只需  ±……
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