本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗，即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。栅极电荷损耗栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg（栅极电荷总量）引起的损……
继上一篇“死区时间损耗”之后，本文将探讨控制IC（Controller）自身功耗中的损耗。控制IC的自身功率损耗在该例中，使用同步整流式控制IC、即未内置功率开关的控制器型IC作为……
上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关–输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗见文识意，开关损耗就是开关工作相关的损耗。在这里使用PSWH……
上一篇文章中介绍了同步整流降压转换器的开关节点产生的开关损耗。本文将探讨开关节产生的死区时间损耗。死区时间损耗死区时间损耗是指在死区时间中因低边开关（MOSFET）体二极管的正向电……
在上一篇文章中，我们了解了同步整流降压转换器的损耗发生位置，并介绍了转换器整体的损耗是各部位的损耗之和。从本文开始将探讨各部位的损耗计算方法。本文介绍功率开关–输出端MOSFET的……
本文开始探讨同步整流降压转换器的损耗。首先，我们来看一下同步整流降压转换器发生损耗的部位。然后，会对各部位的损耗进行探讨。同步整流降压转换器的损耗发生部位下面是同步整流降压转换器的……
