探讨通过提高开关频率来实现应用小型化时的注意事项在开关方式的DC/DC转换器电路中，如果提高开关频率，就可以降低外置电感和电容器的值，也就是说，就可以使用更小形状、更小封装的电感和……
本文将探讨工作条件和损耗增加之间的关系。损耗因素此前介绍过在电源电路的很多部位都会产生损耗，整体损耗的构成部分–特定部位的损耗在某些工作条件下会增加。所以需要先认识到工作条件是造成……
继上一篇文章“封装选型时的热计算示例 1”之后，本文将作为“热计算示例 2”，继续探讨为了使用目标封装而采取的相应对策。封装选型时的热计算示例 2首先，为了方便确认，给出上次的损耗……
在此前的文章中介绍了损耗的发生部位以及通过计算求出相应损耗的方法。从本文开始，将介绍根据求得的损耗进行热计算，并判断在实际使用条件下是否在最大额定值范围内及其对应方法等。原本之所以……
损耗的简单计算方法在很多情况下，电源IC的技术规格书中给出的是在标准的应用电路中测试得到的效率曲线图（效率 vs 输出电流）。如果所使用的电路条件与规格书中的效率曲线的条件相同或近……
此前计算了损耗发生部分的损耗，本文将介绍汇总这些损耗并作为电源IC的损耗进行计算的例子。电源IC的功率损耗计算示例（内置MOSFET的同步整流型IC）图中给出了从“电源IC的损耗”……
本文是各损耗发生部分的最后一篇，将探讨输出电感DCR相关的损耗，即下图中浅蓝色的“PCOIL”所示的部分。电感的DCR带来的传导损耗电感的DCR（即直流电阻）是线圈的电阻。所以，只……
本文将探讨功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗，即下图的高边和低边开关的“PGATE”所示部分。栅极电荷损耗栅极电荷损耗是由该例中外置MOSFET的Qg（栅极电荷总量）引起的损……
继上一篇“死区时间损耗”之后，本文将探讨控制IC（Controller）自身功耗中的损耗。控制IC的自身功率损耗在该例中，使用同步整流式控制IC、即未内置功率开关的控制器型IC作为……
上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关–输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗见文识意，开关损耗就是开关工作相关的损耗。在这里使用PSWH……
