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来自 论坛2021-02-05 16:44

EverspinMRAM非易失性存储器的五大优势

MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起,同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高……
来自 论坛2021-02-02 14:59

电机驱动MCU通用功能和技术点解析

电机驱动MCU技术要点它是电机控制器即动力输出。通俗点就是你要加速他让电机转得快一些,要刹车他能让电机转的慢一点。   所以他有如下特点: ……
来自 论坛2021-01-29 14:27

非易失性存储器Flash和EEPROM之间的差异与优缺点

在嵌入式系统中,Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议(包括SPI或串行外围设备接口)来连接存储设备。在单片机中也集成了多种……
来自 论坛2021-01-28 16:58

为何要使用MCU

为什么很多电器设备都要使用MCU呢? 让我们用一个点亮LED的电路为例,来说明。如下图所示,不使用MCU的电路是一个由LED,开关和电阻构成的简单电路。 * 不……
来自 论坛2021-01-25 15:09

MRAM实现对车载MCU中嵌入式存储器的取代

自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点,同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器,因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面,自旋注入……
来自 论坛2021-01-22 16:13

​弥补现有MRAM的不足

对于长期处于困境的MRAM行业来说,自旋注人方式可以说是一项能够扭转危机的革新技术。 MRAM轰轰烈烈地问世。但此后,MRAM在工艺发展和大容量方面并没有取得预期的进展。……
来自 论坛2021-01-21 14:30

将赛普拉斯nvSRAM替换为MRAM

存储器芯片供应商宇芯电子本章节对赛普拉斯4Mbit(256K x 16)nvSRAM 和 MRAM器件分别在 44 引脚 TSOP-II(薄小外型封装-II 类型)和48……
来自 论坛2021-01-20 16:15

PSRAM在数据缓冲应用中可以取代SRAM或SDRAM

PSRAM它具有类SRAM的接口协议:给出地址、读、写命令,就可以实现存取,不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新,因此结口简单;但它的内核是……
来自 论坛2021-01-19 14:21

​ISSI代理stm32扩展sram芯片IS62WV51216EBLL

IS62WV51216EBLL是高速8M位sram,组织为512K字乘16位。它采用的高性能CMOS技术制造。这种高度可靠的工艺加上创新的电路设计技术,可生产出高性能和低功耗的设备……
来自 论坛2021-01-15 16:24

​EverspinMRAM常见问题解答

Everspin Technologies,Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性,低延迟和安全性至关重要。Everspin&……
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