漏电流测试
当施加一个低于击穿电压的反向电压时，对HBLED两端的漏电流[1]（IL）的测量一般使用中等的电压值。在生产测试中，常见的做法是仅确保漏电流不不至于超过一个特定的阈值……
正向电压测试
要理解新的结构单元材料，如石墨烯、碳纳米管[1]、硅纳米线[2]或者量子点，在未来的电子器件中是如何发挥其功效的，就必须采用那些能在很宽范围上测量电阻、电阻率、迁移……
吉时利专家邀请您首先了解“高亮度LED测试( HBLED)”
高亮发光二极管（High brightness light emitting diodes，……
本文仅仅探讨了纳米技术[1]的多种应用中的少数几个，以及需要更为深入地理解所研究的器件和材料时必须采用的测量方法。每天，各研发实验室都诞生各种新的思想和创新点。随着新点子的出现，人……
为了对这里所示的三种示例进行I－V特性测试，我们建议使用各种不同的商用I－V特性测试工具。有些源－测量一体单元还可以更低的成本提供相同的测试功能，从而提供了一个紧凑的、单通道的DC……
碳纳米管的特性使得它们成为一种出色的电子元件材料[1]。图6示出了FET结构所使用的碳纳米管[2]。为了发现器件的I－V特性曲线[3]，建议采用有弱电流测量[4]功能的仪器。一种可……
为了与纳米器件[1]或者元件实现电接触，必需提供相应的夹具、显微镜和探针系统[2]。当今的纳米研究者正在使用诸如原子力显微镜、扫描电子显微镜和聚焦离子束工具等手段来实现器件的可视化……
热电压或者EMF是低电压测量[1]中最常见的误差源。如图5所示，当电路的不同部分处于不同的温度时，以及由不同材料构成的导体连接到一起时，就会产生这些电压。表中列出了各种材料相对于铜……
电缆的不当使用会造成测量时间过长的问题。共轴电缆提供了一个传输信号的内导体和屏蔽。内导体和屏蔽之间存在着可供漏电流流过的旁路电阻和电容通路[1]（图4）。除了作为漏电流的通路之外，……
其他应对移动和振动[1]问题的解决方案包括：
•除去振动源或者与振动源间在机械上解耦。电机、水泵和其他机电装置都是常见的振动源[2]。
•稳定整个测试环境。……
