掉电快，是因为负载在那里。按你的描述，把保护电路的供电和主电路分隔就可以了，只要保证保护电路的掉电缓慢，主电路就算快些也没关系。……
si器件常规的都是650V左右的耐压，所以早期的前端三相PFC用的是维也纳整流（三电平，MOS管耐压低）维也纳只能单向整流（AC到DC）SIC器件耐压1200V，做三相PFC耐压轻……
电流与电压一致，说明纯阻性，LC没起作用，Q值为0……
问题1：恒压1为输出的额定电压，那恒压2是什么电压，在真实的充电情况下属于什么阶段？你这个曲线有问题，恒压2其实并不存在，即便是测试模式。问题2：限流回缩模式在实际的充电中在什么时……
有可能是测量探头引起，特别是使用隔离差分探头的情况如果是使用差分探头，可以用这样方法检验：增大差分探头环路面积，对比米勒平台下探幅度是否增加，如果是说明下探有探头引起如果是上述原因……
隔离的精度和金钱损失太大，能不隔离尽量不隔离，因此一般控制芯片（包括DSP、驱动、采样）尽量放到原边，副边用光耦传递环路（而非采样）信号是为最佳。即使有通讯任务DSP必须置于副边，……
TO247脚距5.6mm，焊盘宽度2.6mm，电气间距可达3.0mm，耐压650V以内可以不开槽。否则可以开槽。……
你的问题不在驱动，在主拓扑，太绕须知你这里的电流采样电阻，不仅是采样开尔文，也是驱动开尔文，要尽量靠近S才行：……
217V、218V、219V, 属于8位整数变量正常误差、正负一格，哪有20%？即使20%，也要先排除负载不平衡、断相、以及其他不在你PCB上的东西的影响……
驱动波形高压时才异常，通常是弥勒引起的，但这与三圈两地颇有关系。……
