一、ESD是如何产生的不同的物质，对外层电子的控制能力不同。当两种物体相互摩擦，对电子控制能力强的物体就会从对电子控制能力弱的物体上吸附更多的电子，从而使这两个物体都带上电荷，吸附……
1、设计保护在电路设计时首先要考虑的是哪些器件是最容易受到静电放电影响的，而带有防静电功能的器件应该作为第二考虑。许多保护的电路网络可以参考用来保护敏感的MOS器件，它可以保护MO……
静电我们知道，物质都是由分子组成，分子是由原子组成，原子中有带负电的电子和带正电的质子组成。在正常状况下，一个原子的质子数与电子数量相同，正负平衡，所以对外表现出不带电的现象。但是……
雷电和电涌的危害 我国地域辽阔，属于雷电区或雷电多发区。因此，我国每年所面临的雷电灾害是非常严重的。瞬态浪……
对于大部分工程师来说，ESD是一种挑战，不仅要保护昂贵的电子元件不被ESD损毁，还要保证万一出现ESD事件后系统仍能继续运行。这就需要对ESD冲击时发生了什么做深入的了解，才能设计……
ESD, ElectroStatic Discharge(静电放电)。一直以来，电子产品都受到ESD的影响，轻则影响性能，重则损坏产品,大多数电子产品在生命周期内99%的时间都会处……
随着移动产品的迅速发展，消费者正要求越来越先进的性能。半导体组件日益趋向小型化、高密度和功能复杂化，特别是像时尚消费电子和便携式产品等对主板面积要求严格的应用很容易受到静电放电的影……
MOS管一个ESD敏感器件,它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电,又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿有两……
在讨论如何设计产品避免遭受ESD损坏之前，先要了解ESD破坏电子产品的原因，方便后续讨论与技术的了解。 ESD能量是经由传导性能量转移方式引入产品的电子组件内，主要破坏力是瞬间峰值……
1、并联放电器件。常用的放电器件有TVS，齐纳二极管，压敏电阻，气体放电管等。1.1、齐纳二极管（ Zener Diodes ，也称稳压二极管 ） 。 利用齐纳二极管的反向击穿特性……
