1、RS485 浪涌静电保护方案 方案优点：采用多路集成器件保护，可以保证信号完整性的同时，可滤除杂讯， 通过静电测试。 满足：满足IEC61000-4-2，I……
当电子设备越来越小，设备内的集成度将会越来越高，尤其是在一些端口数量非常大的设备中，一旦每个端口都需要浪涌防护的保护，势必会对……
雷电、浪涌和静电对应的模拟波形：1.2/50us冲击电压：模拟的是雷击时户内走线线缆上产生的感应过电压的模拟波形，用于设备端口过电压水平测试，主要用于室内通讯设备的电源端口和信号线……
静电保护二极管，亦称瞬态电压抑制二极管阵列（TVS Array），是由多个TVS晶粒或二极管采用不同的布局设计成具有特定功能的单路或多路ESD保护器件。ESD静电保护二极管响应速度……
电容虽在一定程度可以防静电,但是并不适用于高频信号的线路上,过大的容值会产生失真。……
终端电阻的作用：加快放电，使总线快速进入隐性状态，提高抗干扰能力消除阻抗不连续和不匹配，提高信号质量……
正常情况下，所有的电器产品都会有防护等级不同的电路防护方案，多数产品的防护方案是量身定制，根据产品的实际情况确定防护等级，但还有一些是根据经验，沿用之前的防护方案。浪拓电子作为专业……
雷击浪涌的最大特点是能量特别大，所以采用滤波器和铁氧体磁芯来滤波、吸收的方案基本无效，必须使用气体放电管、压敏电阻、硅瞬变吸收二极管和半导体放电管等专门的浪涌抑制器件才行。浪涌抑制……
过压保护器件按照伏安特性可分为钳位型过电压保护器件和开关型过电压保护器件。钳位型过电压保护器件的伏安特性曲线如图1所示，当电压达到钳位型过电压保护器件的击穿电压时，其电阻瞬间减小为……
1.TSS半导体放电管简介 半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高……
