安森美车用NVHL160N120SC1碳化硅MOSFET

安森美车用NVHL160N120SC1碳化硅MOSFET

化硅（SiC）MOSFET作为第三代半导体核心器件，在电动汽车和新能源领域掀起技术革命。其核心优势源于碳化硅材料的宽禁带特性（3.26eV），相比传统硅基器件具有3倍的热导率和10倍的击穿场强。这使器件可在200℃以上高温稳定工作……

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