返回首页 | 论坛 | 问答 | 博客
 

SI2308BDS-T1-GE3一款SOT23-3封装 MOSFET参数应用解析

"SI2308BDS-T1-GE3是一款N沟道MOSFET产品，采用SOT23-3封装。其特性包括额定电压为60V，额定电流为4A，RDS(ON)参数为85mΩ（在10V下）和96mΩ（在4.5V下），以及20Vgs(±V)的电压……
  如您已是会员？请登录浏览全文
用户名：
密码： 忘记密码？
 
下次是否自动登陆：是    否
  第一次访问EEPW？
不要犹豫，注册成EEPWer，视频、文档、白皮书随你看

关于我们 | 广告服务 | 企业会员服务 | 网站地图 | 联系我们 | 友情链接 | 手机EEPW
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
Copyright ©2000-2020 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
京ICP备12027778号-2