开关有先后，电流局部集中，是一切有源器件的问题，而利用反向恢复替代一般的触发方式，整个管芯的通断可做到既同步且平均，此乃这些二端子脉冲器件的亮点。……
有源器件，如今夹带逆导二极管的多了去，开关电源用的就更是成了标配， 在MOSFET中的逆导二极管，名为 体二极管，因为，它是MOSFET自身的一部份， MOSF……
隧道二极管、耿氏二极管、肖克利二极管，都是建基于负阻伏安特性的二端子有源器件，RSD、SOS、DSRD和FID的原理，是PN结本身固有机制的直接运用，先正偏后反偏，透过反向恢复发挥……
这书前三章提及的，其实是开关电源常用的有源器件，这些有源器件的开关频率与单体运力，受制于 通态压降、二次击穿、存储时间及米勒效应。……
DC→DC变换器使用的，是开关技术，当纯直流遇上开关，得出的就是方波，但斩波器不是数字电路，三极管是模拟器件，但作为开关使用时是超出线性区的，故亦非模拟电路……
击穿、漂移、穿通，三者的共同点，都是反向导电，还有第四种，失阻导电，掺杂愈重，耐压愈低，这法则是单调性的，没有反复，当掺杂浓重至某程度，PN结就会阻力全失，此时，正向伏安特性尚无异……
绝缘体一旦崩坏，就立即伤及本源 (分子的键结)，不可控、不可逆，而PN结的限流「击穿」，却呈现恒压特性，而且，撤电即可复原，不留痕迹与隐患，半导体有别于贫导体 (贫导体只能当电阻)……
哥耐的不是压，是场强！绝缘体的耐压，是跟厚度成正比的，差别不过在于这正比是否线性而矣，水若超纯亦绝缘，硅也像水，纯淨时也近乎绝缘，但是，金刚石与特氟龙的绝缘能力更胜于硅 (忽发奇想……
在足以让 PN结建立成功并且能够正常运作 的前提下，半导体掺杂的程度愈小，PN结的耐压反而愈高，若在物理结面内的那一层是痕量掺杂，这结就成为PIN结，绝缘体一旦击穿，分子……
